1 Antecedentes del proyecto
En el contexto de la intensificación de las fricciones de la guerra comercial entre China y Estados Unidos, la competencia por el control autónomo de los materiales semiconductores se ha intensificado. Especialmente en los últimos años, la nueva capacidad de producción de mi país se ha convertido en el principal aumento de las fábricas globales, pero las materias primas clave y los equipos de producción que restringen el fortalecimiento de la industria de semiconductores todavía están casi monopolizados por empresas estadounidenses y japonesas. Es un mayor bloqueo de la industria de chips, lo que es casi un golpe para el desarrollo de la industria de semiconductores de mi país. Por tanto, se ha destacado la posición estratégica de la localización de materiales semiconductores, y la aceleración del proceso de sustitución de importaciones en el campo de los materiales es una tendencia general.
2 descripción del producto
El pulido mecánico químico CMP (ChemicalMechanicalPolishing) es una combinación de corrosión química y fricción mecánica. Actualmente es la tecnología de suavizado de superficies de materiales semiconductores más común. Combina las ventajas de la fricción mecánica y la corrosión química, evitando así el daño superficial causado por el pulido mecánico simple y la velocidad de pulido lenta, la planitud de la superficie y el pulido causado por el pulido químico simple. Desventajas como la mala consistencia. Se puede obtener una superficie de oblea relativamente perfecta.
Generalmente se acepta internacionalmente que cuando el tamaño de la característica del dispositivo es inferior a 0,35 μm, se debe realizar una planarización global para garantizar la precisión y resolución de la transmisión de imágenes litográficas, y CMP es actualmente casi la única tecnología que puede proporcionar planarización global. El diagrama principal de su equipamiento es el siguiente:
Líquido de molienda: sustancia líquida que se añade durante la molienda. El tamaño de las partículas está relacionado con defectos como rayones después de la molienda. Cuanto más grande sea la partícula, mayor será el daño a la oblea y cuanto más pequeña sea la partícula, mejor. La forma básica está compuesta por un agente pulidor en nanopolvo y una solución acuosa de componente alcalino. El tamaño de partícula es 1-
100 nm, la concentración es del 1,5% al 50%, la composición básica es generalmente KOH, amoníaco o amina orgánica y el pH es de 9,5 a 11.
Debido a la alta pureza de la sílice pirógena, el tamaño de partícula nanométrico original controlable y la distribución del tamaño de partícula, el SiO2 pirógeno se convierte en el principal abrasivo en la suspensión de pulido de óxido.
3 materiales del proyecto:
Polvo de silicio metálico, ácido clorhídrico, hidrógeno. Producción anual de 1.000 toneladas de proyecto de dióxido de titanio en fase nano gaseosa Producción anual de 20.000 toneladas de papel especial proyecto de carbonato de calcio ligero especial Producción anual de 1.000 toneladas de proyecto BIPB (DCP inodoro) Investigación y desarrollo continuos
4. Instalaciones de apoyo al proyecto:
Parques industriales químicos, vapor, electricidad, agua industrial.
5. Ventajas técnicas
Patente: Un dispositivo para producir dióxido de silicio y óxido metálico mediante el método de fase gaseosa.
Patente: Dispositivo y proceso para producir triclorosilano y tetracloruro de silicio de alta pureza.
6. La inversión total del proyecto es de 150 millones de yuanes.
7. Área del proyecto: 30 acres
8. Beneficios económicos
Inversión total | 150 millones de yuanes |
Capacidad completa | 5000 toneladas |
Costo total por tonelada (sin impuestos) | 25000 yuanes/tonelada |
Precio de mercado por tonelada (sin IVA) | 40000 yuanes/tonelada |
Beneficio bruto | 75 millones de yuanes/año |
Margen de beneficio bruto de inversión | 50% |